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型号: FEI Helios G4 UC |
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离子束系统 |
电子束系统 |
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离子源 |
液态Ga离子源 |
电子源 |
Schotty X-FEG场发射电子枪 |
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加速电压 |
0.5-30kV |
加速电压 |
0.2-30kV |
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束流强度 |
1.6pA-65nA |
束流强度 |
1.1pA-65nA |
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分辨率 |
4nm@30kV |
分辨率 |
0.6nm@2kV |
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探测器 |
ETD（SE、BSE） ICE（SE、BSE、SI） |
探测器 |
ETD（SE、BSE） TLD（SE、BSE） ICD（BSE用于低电压） 可伸缩的DBS探头 |
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样品台：五轴马达驱动（XY：150mm，压电陶瓷马达驱动；Z：10mm，电机马达驱动；倾角范围(-10°)-(+60°);可绕Z轴旋转任意角度（360°）；水平方向漂移小于10nm。 |
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样品要求：直径≦150mm，厚度≦50mm |
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配备Pt气体沉积源，可在电子束、离子束诱导下进行沉积和刻蚀 |
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EM VCT500真空冷冻传输系统，配备样品制备腔室，具有镀膜和升华功能 |
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配备冷冻光镜电镜偶联系统（leica Cryo CLEM） |
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软件：xTUI、Maps、Autoslice&View |
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